中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心的科研人員首次制備出以肖特基結作為發(fā)射結的垂直結構晶體管“硅—石墨烯—鍺晶體管”。

此次成果論文的第一作者、中科院金屬所副研究員劉馳表示，“目前已報道的石墨烯基區(qū)晶體管，普遍采用隧穿發(fā)射結，然而隧穿發(fā)射結的勢壘高度，嚴重限制了該晶體管作為高速電子器件的發(fā)展前景。”與已報道的隧穿發(fā)射結相比，硅-石墨烯肖特基結表現(xiàn)出最大的開態(tài)電流和最小的發(fā)射結電容，從而得到最短的發(fā)射結充電時間，使器件總延遲時間縮短了1000倍以上，可將器件的截止頻率由約1.0兆赫茲提升至1.2吉赫茲。